三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

三星电子将在平泽二厂（P2）建立一条10nm第七代DRAM（1d DRAM）实验线，以增强其竞争位置并进步新一代产物的良率。本文援用地点：据报道，三星打算于2024年第四序度开端建立1d DRAM实验线，估计于2025年第一季度竣工。固然这条1d DRAM出产线详细出产范围的细节尚不明白，但业内估量，实验线的月产能平日约为10000片晶圆。三星打算于2025年开端量产1c DRAM，随后于2026年开端量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做筹备的同时树立这条实验线的决议反应出其踊跃的开展策略。业内子士称，新任三星装备处理计划（DS）担任人全英铉（Young-Hyun Jun）的技巧配景使他可能直接收理三星的存储技巧，从DRAM等中心营业开端，在DS部分内实行严重改造。与此同时，三星也在加年夜对NAND闪存技巧的投资。近来，三星平泽第一工场（P1）树立了业界第一条重叠400层3D NAND（V10）的测试线，而P4的NAND工场则引进了重叠286层（V9）的装备。经由过程对DRAM跟NAND技巧的策略投资，三星旨在坚持其在寰球存储市场上绝对于竞争敌手的技巧上风。减速开辟测试线跟推动下一代产物的量产，凸显了三星信心在剧烈的竞争情况中坚固其当先位置。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->