红别传感器获得冲破 敏锐度进步35%

1 月 5 日新闻，阿尔托年夜学的研讨团队在红别传感器范畴获得严重冲破，胜利开辟出一种基于锗资料的光电二极管（photodiode），其敏锐度比现在普遍应用的锗基传感器超过 35%。这一停顿无望使红外装备在机能、本钱跟效力方面实现片面晋升，并增加对情况跟安康的迫害。传统上，红外光电二极管传感器重要采取铟镓砷（InGaAs）资料。但是，这种资料不只本钱昂扬，还存在毒性跟致癌危险，对情况跟人体安康形成潜伏要挟。别的，InGaAs 资料与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺不兼容，这极年夜地增添了终极利用的集成庞杂性。为处理这些成绩，阿尔托年夜学的研讨团队转向了锗资料。他们应用名义纳米构造打消光学消耗，并最年夜限制地增加电学消耗。成果标明，该装备在光谱呼应率上已濒临幻想程度，可能在宽波长范畴内检测到约 90% 的光子。与商用的 InGaAs 光电二极管比拟，新型锗基光电二极管传感器在敏锐度方面也表示出上风。研讨团队表现：“咱们的装备在呼应率（敏锐度）方面优于其余锗基传感器。”盼望这种高效且环保的红别传感器可能尽快投入市场，从而增加 InGaAs 传感器对情况的负面影响。